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元器件采购网 > F-116页 > FET - 阵列FDS4885C

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FDS4885C

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) Fairchild Semiconductor 168 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923
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FDS4885C参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N/P-CH DUAL 40V 8SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.5A,6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:900pF @ 20V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装

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